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氮化镓霍尔元件

产品概述

氮化镓霍尔元件突破传统硅基限制,在 -40 ℃ 至 150 ℃ 的极端环境中仍保持稳定性能,具备从 200 nT 的微弱磁场到 10 T 的强磁场全量程精准检测。相比常规霍尔器件在高温下性能衰减的问题,氮化镓提供了前所未有的可靠性,为新能源汽车、电网监测和工业自动化提供颠覆性的磁场与电流检测方案。

典型应用:磁场测量、电流检测、电机控制、磁编码器等。

产品详情

氮化镓霍尔元件

氮化镓霍尔元件 MS-GN201

TO-94封装

MS-GN201 是面向高温与高可靠磁场检测场景的 GaN 霍尔元件,具备低温漂、高线性度和 200 nT 级弱磁分辨能力,适合电流检测、电机控制、线性 / 旋转位置检测和磁编码器等应用。

输入电阻
1100 Ω
量程
±10 T
分辨率
200 nT
推荐标签:弱磁检测/高温环境/位置检测/磁编码器
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氮化镓霍尔元件

氮化镓霍尔元件 MS-GN301C

SSIP4L封装

MS-GN301C 采用 SSIP4L 封装,面向对灵敏度和封装形态有更高要求的磁场检测应用。产品支持最高 10 mA 激励电流,典型灵敏度 70 V/(A·T),适合工业与车辆环境中的电流、位置和转速检测。

输入电阻
800 Ω
量程
±10 T
分辨率
200 nT
推荐标签:高灵敏度/高带宽/工业环境/电机控制
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氮化镓霍尔元件

氮化镓霍尔元件 MS-GN302C

SiP4封装

MS-GN302C 采用 SiP4 封装,兼顾磁场检测性能与装配便利性。典型灵敏度 55 V/(A·T),输入 / 输出电阻典型值 600 Ω,适用于对封装尺寸、装配方式和高温稳定性有要求的磁检测系统。

输入电阻
600 Ω
量程
±10 T
分辨率
200 nT
推荐标签:SiP4 封装/低阻抗/高温稳定/磁路检测
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关键参数

灵敏度
40~70 V/A/T
线性度
<0.2%
灵敏度温漂
<0.05%/°C
输入/输出电阻
500~1100 Ω

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